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Si4816DY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
Channel-1
Channel-2
V DS (V)
30
R DS(on) ( Ω )
0.022 at V GS = 10 V
0.030 at V GS = 4.5 V
0.013 at V GS = 10 V
0.0185 at V GS = 4.5 V
I D (A)
6.3
5.4
10
8.6
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? LITTLE FOOT ? Plus Power MOSFET
? 100 % R g Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY
V DS (V)
30
V SD (V)
Diode Forward Voltage
0.50 V at 1.0 A
I F (A)
2.0
D 1
SO- 8
G 1
1
8
D 1
G 1
A/S 2
A/S 2
G 2
2
3
4
7
6
5
D 2 /S 1
D 2 /S 1
D 2 /S 1
N-Channel 1
MOSFET
S 1 /D 2
Schottky Diode
Top V ie w
G 2
N-Channel 2
Orderin g Information: Si4 8 16DY-T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si4 8 16DY -T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
MOSFET
S 2
A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Channel-1
Channel-2
Parameter
Symbol
10 s
Steady State
10 s
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
V DS
V GS
30
20
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
6.3
5.4
30
5.3
4.2
10
8.2
40
7.7
6.2
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I S
1.3
0.9
2.2
1.15
Avalanche Current b
Single Pulse Avalanche Energy
b
L = 0.1 mH
I AS
E AS
12
7.2
25
31.25
mJ
Maximum Power Dissipation a
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
1.4
0.9
1.0
0.64
2.4
1.5
1.25
0.8
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Channel-1
Channel-2
Schottky
Parameter
Symbol
Typ.
Max.
Typ.
Max.
Typ.
Max.
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJC
72
100
51
90
125
63
43
82
25
53
100
30
48
80
28
60
100
35
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. Starting date code W46BAA.
Document Number: 71121
S09-0868-Rev. G, 18-May-09
www.vishay.com
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